MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFR2405TRLPBF, VDSS 55 V, ID 56 A, TO-252
- Código RS:
- 258-3984
- Referência do fabricante:
- IRFR2405TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
4,52 €
Adicione 100 unidades para obter entrega gratuita
Em stock
- 1955 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 0,904 € | 4,52 € |
| 50 - 120 | 0,832 € | 4,16 € |
| 125 - 245 | 0,78 € | 3,90 € |
| 250 - 495 | 0,724 € | 3,62 € |
| 500 + | 0,67 € | 3,35 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 258-3984
- Referência do fabricante:
- IRFR2405TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 56A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 16mΩ | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 110W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 70nC | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 56A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 16mΩ | ||
Disipación de potencia máxima Pd 110W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 70nC | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
La familia de MOSFET Infineon R de MOSFET de potencia utiliza procesos de silicio probados que ofrecen a los diseñadores una amplia gama de dispositivos para admitir diversas aplicaciones como motores de dc, inversores, SMPS, iluminación, interruptores de carga, así como aplicaciones alimentadas por batería. Los dispositivos están disponibles en una variedad de encapsulados de montaje en superficie y de orificio pasante con huellas estándar del sector para facilitar el diseño.
Estructura de celda planar para SOA amplio
Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución
Calificación del producto conforme al estándar JEDEC
Mayor robustez
Amplia disponibilidad de socios de distribución
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 56 A, TO-252
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 56 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFR2405TRPBF, VDSS 55 V, ID 56 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 56 A, TO-252
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFR3710ZTRPBF, VDSS 100 V, ID 56 A, TO-252
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 89 A, TO-252
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 17 A, TO-252
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 27 A, TO-252