MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 61 A, TO-252

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Código RS:
258-3998
Referência do fabricante:
IRLR3915TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

61A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Encapsulado

TO-252

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

17mΩ

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

16 V

Disipación de potencia máxima Pd

120W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

61nC

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia HEXFET de Infineon utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión muy baja por área de silicio. Las características adicionales de este producto son una temperatura de funcionamiento de unión de 175 °C, velocidad de conmutación rápida y mejor calificación de avalancha repetitiva. Estas características se combinan para que este diseño sea un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.

Tecnología de procesos avanzada

Resistencia de conexión muy baja

Conmutación rápida

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