MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon AUIRFR48ZTRL, VDSS 55 V, ID 62 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 220-7347
- Referência do fabricante:
- AUIRFR48ZTRL
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 220-7347
- Referência do fabricante:
- AUIRFR48ZTRL
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET y Diodo | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 62A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 11mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 40nC | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 91W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 6.73 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.22mm | |
| Altura | 2.39mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET y Diodo | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 62A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 11mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 40nC | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 91W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 6.73 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.22mm | ||
Altura 2.39mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El Infineon AUIRFR48ZTRL está diseñado específicamente para aplicaciones de automoción, este MOSFET de potencia HEXFET utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión muy baja por área de silicio. Se utiliza en aplicaciones de automoción y una amplia variedad de otras aplicaciones.
Tecnología de procesos avanzados
Resistencia de encendido ultrabaja
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Conmutación rápida
Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax
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