MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 62 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 220-7346
- Referência do fabricante:
- AUIRFR48ZTRL
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 220-7346
- Referência do fabricante:
- AUIRFR48ZTRL
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET y Diodo | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 62A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 11mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 91W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 40nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.22mm | |
| Altura | 2.39mm | |
| Anchura | 6.73 mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET y Diodo | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 62A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 11mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 91W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 40nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.22mm | ||
Altura 2.39mm | ||
Anchura 6.73 mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El Infineon AUIRFR48ZTRL está diseñado específicamente para aplicaciones de automoción, este MOSFET de potencia HEXFET utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión muy baja por área de silicio. Se utiliza en aplicaciones de automoción y una amplia variedad de otras aplicaciones.
Tecnología de procesos avanzados
Resistencia de encendido ultrabaja
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Conmutación rápida
Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax
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