MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFR220NTRLPBF, VDSS 200 V, ID 5 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 217-2617
- Número do artigo Distrelec:
- 304-39-419
- Referência do fabricante:
- IRFR220NTRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 embalagem de 25 unidades)*
14,30 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 16.775 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 25 + | 0,572 € | 14,30 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 217-2617
- Número do artigo Distrelec:
- 304-39-419
- Referência do fabricante:
- IRFR220NTRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 600mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 43W | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 15nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 10.41mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Anchura | 2.39 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 600mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 43W | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 15nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 10.41mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.73mm | ||
Anchura 2.39 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El Infineon 200V MOSFET de potencia HEXFET de canal N sencillo en un encapsulado D-Pak.
Estructura de celda plana para SOA amplio
Optimizado para ofrecer la mayor disponibilidad de los socios de distribución
Cualificación del producto según el estándar JEDEC
Silicio optimizado para aplicaciones de conmutación por debajo
Encapsulado de alimentación de montaje en superficie estándar del sector
Capaz de soldarse por ola
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 5 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 31 A, Mejora, TO-252
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS -40 V, ID -85 A, Mejora, TO-252
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 31 A, Mejora, TO-252
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 24 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IPD85P04P407ATMA2, VDSS -40 V, ID -85 A, Mejora, TO-252
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFR3410TRLPBF, VDSS 100 V, ID 31 A, Mejora, TO-252
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD60R280PFD7SAUMA1, VDSS 650 V, ID 31 A, Mejora, TO-252
