MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 5 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
217-2616
Referência do fabricante:
IRFR220NTRLPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Encapsulado

TO-252

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

600mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

43W

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

15nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.73mm

Anchura

2.39 mm

Altura

10.41mm

Estándar de automoción

No

El Infineon 200V MOSFET de potencia HEXFET de canal N sencillo en un encapsulado D-Pak.

Estructura de celda plana para SOA amplio

Optimizado para ofrecer la mayor disponibilidad de los socios de distribución

Cualificación del producto según el estándar JEDEC

Silicio optimizado para aplicaciones de conmutación por debajo
Encapsulado de alimentación de montaje en superficie estándar del sector

Capaz de soldarse por ola

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