MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 5 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 217-2616
- Referência do fabricante:
- IRFR220NTRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 217-2616
- Referência do fabricante:
- IRFR220NTRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 600mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 15nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 43W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 10.41mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 600mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 15nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 43W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 6.73mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 10.41mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El Infineon 200V MOSFET de potencia HEXFET de canal N sencillo en un encapsulado D-Pak.
Estructura de celda plana para SOA amplio
Optimizado para ofrecer la mayor disponibilidad de los socios de distribución
Cualificación del producto según el estándar JEDEC
Silicio optimizado para aplicaciones de conmutación por debajo
Encapsulado de alimentación de montaje en superficie estándar del sector
Capaz de soldarse por ola
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