MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 5 A, TO-252

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 bobina de 2000 unidades)*

532,00 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 03 de agosto de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Bobina*
2000 - 20000,266 €532,00 €
4000 - 40000,253 €506,00 €
6000 +0,237 €474,00 €

*preço indicativo

Código RS:
258-3981
Referência do fabricante:
IRFR220NTRPBF
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Encapsulado

TO-252

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

600mΩ

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

43W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

15nC

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

La familia MOSFET de Infineon de MOSFET de potencia utiliza procesos de silicio probados que ofrecen a los diseñadores una amplia gama de dispositivos para admitir diversas aplicaciones como motores dc, inversores, SMPS, iluminación, interruptores de carga, así como aplicaciones alimentadas por batería. Los dispositivos están disponibles en una variedad de encapsulados de montaje en superficie y de orificio pasante con huellas estándar del sector para facilitar el diseño.

Estructura de celda planar para SOA amplio

Mayor robustez

Amplia disponibilidad de socios de distribución

Nivel de cualificación estándar del sector

Links relacionados