MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 17 A, TO-252

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Código RS:
258-3979
Referência do fabricante:
IRFR15N20DTRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

17A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Serie

HEXFET

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

165mΩ

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

27nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Disipación de potencia máxima Pd

140W

Tensión directa Vf

1.5V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

Los MOSFET de potencia de Infineon utilizan procesos de silicio probados que ofrecen a los diseñadores una amplia gama de dispositivos para admitir diversas aplicaciones como motores dc, inversores, SMPS, iluminación, interruptores de carga, así como aplicaciones alimentadas por batería. Los dispositivos están disponibles en una variedad de encapsulados de montaje en superficie y de orificio pasante con huellas estándar del sector para facilitar el diseño.

Estructura de celda planar para SOA amplio

Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución

Calificación del producto conforme al estándar JEDEC

Mayor robustez

Compatibilidad con varios proveedores

Nivel de cualificación estándar del sector

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