MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 24 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
165-8030
Referência do fabricante:
IRFR4620TRLPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

24A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Encapsulado

TO-252

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

78mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

25nC

Tensión directa Vf

1.3V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-20, +20V

Disipación de potencia máxima Pd

144W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

2.39mm

Anchura

7.49mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.73mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN

MOSFET de la serie HEXFET de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 200 V, corriente de drenaje continua máxima de 24 A - IRFR4620TRLPBF


Este MOSFET de modo de mejora de canal n es un transistor de potencia de montaje en superficie diseñado para funciones de conmutación y conversión de potencia en sistemas electrónicos. Funciona en un amplio rango de temperaturas, por lo que es adecuado para entornos térmicos exigentes, y proporciona capacidad de conmutación de alta tensión para aplicaciones que requieren un rendimiento de drenaje-fuente robusto.

Características y ventajas:


• La clasificación de 200 V permite una capacidad de conmutación de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 24 A admite corrientes de carga sustanciales
• La Rds(on) de 78 mΩ proporciona bajas pérdidas por conducción
• La carga de puerta típica de 25 nC permite una conmutación rápida de la puerta
• La disipación de potencia máxima de 144 W soporta una carga térmica significativa

Aplicaciones


• Apto para convertidores dc-dc de alta tensión en fuentes de alimentación
• Ideal para etapas de conmutación de accionamiento de motor en sistemas industriales
• Se utiliza con circuitos de gestión de baterías que requieren una tolerancia de 200 V
• Se puede utilizar para rectificación síncrona en módulos de potencia

¿Qué consideraciones de accionamiento de puerta se requieren para una conmutación rápida?


Utilice un controlador capaz de generar y absorber corrientes para cargar la puerta dentro del presupuesto de carga de puerta total típico de 25 nC para equilibrar la velocidad de conmutación y minimizar las pérdidas de transición.

¿Cómo afecta la gestión térmica al funcionamiento continuo con corrientes elevadas?


Para mantener la corriente continua de 24 A y la disipación de hasta 144 W, asegúrese de que el área de cobre de la PCB o el disipador de calor son suficientes y mantenga las temperaturas de unión dentro del rango de funcionamiento especificado.

¿Cuáles son los límites para las tensiones de puerta y drenaje para evitar daños?


Mantenga la tensión de puerta a fuente dentro de ±20 V y asegúrese de que el drenaje a la fuente nunca supera el valor nominal máximo de 200 V en todas las condiciones de funcionamiento.

¿Cómo se comporta el dispositivo en entornos fríos y calientes?


Está especificado para funcionar desde -55 °C hasta 175 °C, por lo que los márgenes de diseño deben tener en cuenta los cambios de parámetros, como la variación de resistencia de conexión a lo largo de ese rango de temperatura.

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