MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF6785MTRPBF, VDSS 200 V, ID 19 A, Mejora, DirectFET de 7 pines
- Código RS:
- 215-2581
- Referência do fabricante:
- IRF6785MTRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- 215-2581
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- IRF6785MTRPBF
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- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 19A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | DirectFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 100mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 36nC | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 57W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 19A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado DirectFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 100mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 36nC | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 57W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El Infineon HEXFET Power MOSFET tiene una tensión de fuente de drenaje máxima 200V en un encapsulado DirectFET MZ con un valor nominal de 19 amperios optimizado con baja resistencia de conexión. Este MOSFET de audio digital está diseñado específicamente para aplicaciones de amplificador de audio de clase D. Este MOSFET utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una baja resistencia de conexión por área de silicio. Además, la carga de puerta, la recuperación inversa de diodo de cuerpo y la resistencia de puerta interna están optimizadas para mejorar factores clave de rendimiento de amplificador de audio de clase D como la eficiencia, THD y EMI. El dispositivo IRF6785MPbF utiliza la tecnología de encapsulado DirectFETTM. La tecnología de encapsulado DirectFETTM ofrece menor inductancia parásita y resistencia en comparación con el encapsulado SOIC de conexión de cable convencional.
Última tecnología MOSFET Silicon
Parámetros clave optimizados para aplicaciones de amplificador de audio de clase D.
Compatible con refrigeración de doble cara
Sin plomo (calificación de reflujo de hasta 260 °C)
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