MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 25 V, ID 147 A, Mejora, TDSON de 8 pines

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Código RS:
214-8971
Referência do fabricante:
BSC015NE2LS5IATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

147A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

25V

Encapsulado

TDSON

Serie

OptiMOS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

22nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

16V

Disipación de potencia máxima Pd

50W

Tensión directa Vf

650mV

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

6.35mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.1mm

Longitud

5.49mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de la serie OptiMOS de Infineon, disipación de potencia máxima de 50 W, tensión de fuente de drenaje máxima de 25 V - BSC015NE2LS5IATMA1


Este MOSFET es un dispositivo de mejora de canal N de alta corriente diseñado para conmutación de potencia de montaje en superficie y control de carga en entornos térmicos exigentes. Funciona en un amplio rango de temperaturas y está especificado para un manejo significativo de corriente de drenaje continuo y potencia, lo que lo convierte en adecuado para aplicaciones que requieren bajas pérdidas por conducción y conmutación rápida controlada por puerta.

Características y ventajas:


• La Rds(on) de 1,5 mΩ reduce las pérdidas por conducción a altas corrientes
• La corriente de drenaje continua de 147 A admite corrientes de carga pesada
• La disipación de potencia de 50 W permite un manejo de potencia sostenido
• La carga de puerta típica de 22 nC permite un control de conmutación eficiente
• La tensión directa de 0,65 V minimiza la caída de tensión bajo carga
• La fuente de drenaje nominal de 25 V es adecuada para carriles de alimentación de baja tensión

Aplicaciones


• Apto para convertidores dc-dc de alta corriente
• Ideal para la rectificación síncrona en fuentes de alimentación
• Se utiliza para etapas de accionamiento de motores en electrónica de potencia
• Puede utilizarse para protección y distribución de baterías
• Adecuado para conmutación de potencia en montajes SMD compactos

¿Qué encapsulado y estilo de montaje utiliza?


Se suministra en un encapsulado TDSON de 8 contactos diseñado para montaje en superficie.

¿Qué límites de tensión deben observarse durante el diseño del circuito?


La tensión de fuente de drenaje máxima es de 25 V y la tensión de fuente de puerta máxima es de 16 V.

¿Cómo se comporta a temperaturas extremas?


Está especificado para funcionar de −55 a 150 °C para un rango térmico ampliado.

¿Qué tipo y modo de canal se implementan?


El dispositivo es un MOSFET de modo de mejora de canal N.

¿Qué limitaciones de huella física son relevantes para el diseño de la placa de circuito impreso?


El encapsulado mide aproximadamente 5,49 mm por 6,35 mm con una altura de 1,1 mm.

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