MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 70 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- Código RS:
- 222-4661
- Referência do fabricante:
- IPC70N04S5L4R2ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 222-4661
- Referência do fabricante:
- IPC70N04S5L4R2ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 70A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | TDSON | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.2mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 50W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 16V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 22nC | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 5.25mm | |
| Altura | 1.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 5.58mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 70A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado TDSON | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.2mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 50W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 16V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 22nC | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 5.25mm | ||
Altura 1.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 5.58mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El diseño Infineon de MOSFET, también conocidos como transistores MOSFET, significa ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.
Producto ecológico (compatible con RoHS)
Certificación AEC Q101 de reflujo Peak MSL1 hasta 260 °C.
OptiMOS™ - MOSFET de potencia para aplicaciones de automoción
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