MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 60 A, Mejora, TDSON de 8 pines

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Código RS:
222-4621
Referência do fabricante:
BSC098N10NS5ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

60A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TDSON

Serie

OptiMOS-TM5

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

9.8mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

69W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

22nC

Tensión directa Vf

1.1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

6.1mm

Longitud

5.35mm

Altura

1.2mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de la serie OptiMOS-TM5 de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 100 V, corriente de drenaje continua máxima de 60 A - BSC098N10NS5ATMA1


Este MOSFET es un dispositivo de mejora de canal N de alta tensión diseñado para conmutación de potencia de montaje en superficie en rangos de temperatura exigentes. Admite altas corrientes continuas y está diseñado para aplicaciones que requieren una conducción eficiente y una conmutación rápida en temperaturas industriales extremas.

Características y ventajas:


• La clasificación de 100 V proporciona capacidad de conmutación de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 60 A permite la manipulación de cargas pesadas
• El bajo RDS de 9,8 mΩ reduce las pérdidas por conducción
• La disipación de potencia de 69 W soporta una carga térmica significativa
• La carga de puerta típica de 22 nC permite una conmutación sensible
• La tolerancia de puerta de 20 V permite márgenes de accionamiento de puerta robustos

Aplicaciones


• Apto para etapas de convertidor dc-dc de alta tensión
• Ideal para etapas de corriente de accionamiento de motor en electrónica de potencia
• Se utiliza con reguladores reductores síncronos para mayor eficiencia
• Se puede utilizar para conmutación de alta corriente en carriles de alimentación de servidor
• Apto para módulos de gestión de baterías y distribución de potencia

¿Qué encapsulado se utiliza y cómo afecta al montaje de la placa?


Se suministra en un encapsulado de montaje en superficie TDSON de 8 contactos que simplifica la automatización de recogida y colocación y la soldadura para diseños de placa compactos.

¿En qué extremos térmicos puede funcionar?


El dispositivo está especificado para funcionar desde −55 °C hasta 150 °C para escenarios de funcionamiento ambiental o de unión.

¿Cómo influye la configuración del canal en el control?


El canal de mejora de tipo N requiere una tensión de puerta a fuente positiva para conducir, lo que permite un diseño de accionamiento de puerta sencillo para aplicaciones de conmutación.

¿Cuál es la tensión de puerta máxima que debe aplicarse?


La tensión de puerta a fuente no debe exceder los 20 V para evitar comprometer el aislamiento de la puerta y la integridad del dispositivo.

¿Cómo admite el tamaño del encapsulado diseños densos?


Su tamaño compacto de 5,35 x 6,1 x 1,2 mm facilita los diseños de alta densidad al tiempo que mantiene las capacidades de manejo de potencia.

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