MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 74 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- Código RS:
- 222-4619
- Referência do fabricante:
- BSC072N08NS5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- 222-4619
- Referência do fabricante:
- BSC072N08NS5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 74A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | TDSON | |
| Serie | OptiMOS-TM5 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 7.2mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 24nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 69W | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 6.1 mm | |
| Altura | 1.2mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 5.35mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 74A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado TDSON | ||
Serie OptiMOS-TM5 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 7.2mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 24nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 69W | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 6.1 mm | ||
Altura 1.2mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 5.35mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El diseño Infineon de MOSFET, también conocidos como transistores MOSFET, significa ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.
Chapado de cable sin plomo; En conformidad con RoHS
Resistencia térmica superior probada al 100 % de avalancha
Libre de halógenos conforme a IEC61249-2-23
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