MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 100 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- Código RS:
- 214-8973
- Referência do fabricante:
- BSC0502NSIATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 5000 unidades)*
1 480,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 10.000 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 5000 + | 0,296 € | 1 480,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 214-8973
- Referência do fabricante:
- BSC0502NSIATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 100A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Encapsulado | TDSON | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 0.65V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 9nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 43W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.1mm | |
| Longitud | 5.49mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 6.35 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 100A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Encapsulado TDSON | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 0.65V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 9nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 43W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.1mm | ||
Longitud 5.49mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 6.35 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
La gama Infineon de productos OptiMOS está disponible en encapsulados de alto rendimiento para hacer frente a las aplicaciones más exigentes, lo que proporciona una flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.
Diodo Schottky integrado monolítico
Optimizado para convertidores reductores de alto rendimiento
100 % a prueba de avalancha
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC0502NSIATMA1, VDSS 30 V, ID 100 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 106 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 100 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 42 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 34 V, ID 13 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 25 V, ID 147 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 23 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 55 A, Mejora, TDSON de 8 pines