MOSFET, N-Canal Infineon IPD70R900P7SAUMA1, VDSS 700 V, ID 6 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

Código RS:: 214-4394
Referência do fabricante:: IPD70R900P7SAUMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET, N-Canal Infineon IPD70R900P7SAUMA1, VDSS 700 V, ID 6 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:: 214-4394
Referência do fabricante:: IPD70R900P7SAUMA1
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	6A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	700V
	Encapsulado	TO-252
	Serie	700V CoolMOS P7
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	900mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	30.5W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-40°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	6.8nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	16V
	Tensión directa Vf	0.9V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Altura	2.35mm
	Anchura	6.42mm
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	6.65mm
	Estándar de automoción	No

	Selecionar tudo
	Marca Infineon
	Tipo de canal N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 6A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 700V
	Encapsulado TO-252
	Serie 700V CoolMOS P7
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 900mΩ
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 30.5W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6.8nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 16V
	Tensión directa Vf 0.9V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Altura 2.35mm
	Anchura 6.42mm
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 6.65mm
	Estándar de automoción No

Datasheet - IPD70R900P7SAUMA1

MOSFET CoolMOS serie P7 de 700 V de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 700 V, corriente de drenaje continua máxima de 6 A - IPD70R900P7SAUMA1

Este MOSFET es un transistor de conmutación de canal N de alta tensión diseñado para aplicaciones de conversión de potencia y conmutación. Funciona en un amplio rango de temperaturas y está diseñado para diseños de alimentación de montaje en superficie donde se requiere una alta tensión de bloqueo y una capacidad de corriente moderada. El dispositivo admite el funcionamiento en modo de mejora y es adecuado para sistemas que requieren componentes de potencia compactos con características de accionamiento de puerta controladas.

Características y ventajas:

• Tensión de bloqueo de 700 V que permite la conmutación de alta tensión
• Corriente de drenaje continua de 6 A para un manejo de carga moderado
• Rds(on) de 900 mΩ que limita las pérdidas por conducción bajo carga
• Carga de puerta típica de 6.8 nC para transiciones de puerta más rápidas
• Disipación de potencia máxima de 30.5 W para cabecera térmica
• Valor nominal máximo de puerta-fuente de 16 V que permite un accionamiento de puerta robusto

Aplicaciones

• Apto para tareas de interruptor primario SMPS en fuentes de alimentación de alta tensión
• Ideal para fuentes de alimentación fuera de línea que requieren bloqueo de 700 V
• Se utiliza con convertidores de potencia que necesitan corriente continua moderada
• Se puede utilizar para topologías de modo conmutado en equipos industriales
• Apto para conjuntos de alimentación compactos de montaje en superficie

¿Qué tipo de encapsulado se proporciona para el montaje en placa?

Se suministra en un encapsulado de montaje en superficie TO-252 que permite la fijación de PCB soldada y un contacto térmico eficiente.

¿Cómo afecta el rango de temperatura al despliegue en entornos hostiles?

El dispositivo está especificado para funcionar desde -40 °C hasta 150 °C, lo que admite aplicaciones con temperaturas de unión elevadas y amplias variaciones ambientales.

¿Qué limitaciones de accionamiento de puerta deben observarse en los diseños?

La puerta no debe superar ±16 V con respecto a la fuente, por lo que los circuitos de accionamiento de puerta deben incluir sujeción o cambio de nivel para evitar sobretensión.

¿Cómo influyen el canal y el modo del dispositivo en la topología del circuito?

Al ser un dispositivo de mejora de canal N, requiere una tensión de fuente de puerta positiva para conducir y es adecuado para conmutación de lado bajo o lado alto con disposiciones de controlador adecuadas.