MOSFET Infineon, Tipo N, Tipo P-Canal BSD235CH6327XTSA1, VDSS 20 V, ID 950 mA, US, Mejora de 6 pines, 2

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Código RS:
250-0523
Referência do fabricante:
BSD235CH6327XTSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N, Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

950mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Serie

BSD235C

Encapsulado

US

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

6

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

1.20V

Tensión directa Vf

1.1V

Disipación de potencia máxima Pd

0.5W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de la serie BSD235C de Infineon, tensión de drenaje-fuente máxima de 20 V, corriente de drenaje continua máxima de 0,95 A - BSD235CH6327XTSA1


Este MOSFET es un transistor de modo de mejora doble diseñado para aplicaciones compactas de automoción. Integra elementos de canal N y canal P en un único chip dentro de un encapsulado SOT‐363 de 6 contactos, lo que permite tareas de conmutación y señalización de tamaño reducido. El dispositivo está especificado para funcionar en un amplio rango de temperaturas adecuado para entornos exigentes y se ajusta a las restricciones de materiales ambientales.

Características y ventajas:


• La tensión de fuente de drenaje máxima de 20 V permite la capacidad de conmutación de baja tensión
• La corriente de drenaje continua de 0.95 A admite cargas de corriente moderadas
• La potencia nominal de fuente de puerta de 1,2 V permite el funcionamiento de accionamiento de puerta de baja tensión
• La disipación de potencia de 0,5 W permite un presupuesto térmico compacto
• La temperatura máxima de funcionamiento de 150 °C permite un uso ambiental elevado

Aplicaciones


• Adecuado para conmutación de carga de automoción en espacios reducidos
• Ideal para etapas complementarias de señal push-pull
• Se utiliza con lógica de control de baja tensión para control de puerta
• Puede utilizarse para la gestión redundante de energía de doble elemento
• Se utiliza para diseños de placas compactas que requieren la conformidad con RoHS

¿Cuántos elementos de transistor están integrados en el chip?


Contiene dos elementos, un canal N y un canal P.

¿Qué número de contactos y encapsulado debo planificar en el diseño de la placa de circuito impreso?


El dispositivo utiliza una huella SOT‐363 de 6 contactos para el montaje en superficie.

¿Qué temperaturas extremas puede soportar durante el funcionamiento?


El rango de funcionamiento permitido oscila entre –55 y 150 °C.

¿Es adecuado el dispositivo donde se aplican restricciones de material?


Cumple los requisitos de material RoHS y está diseñado en consecuencia.

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