MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 800 V, ID 1.5 A, Mejora, TO-251 de 3 pines

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Código RS:
222-4716
Referência do fabricante:
IPU80R4K5P7AKMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

1.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Encapsulado

TO-251

Serie

CoolMOS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.5Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

4nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

13W

Tensión directa Vf

0.9V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

6.22mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.73mm

Altura

2.41mm

Estándar de automoción

No

El diseño Infineon de la serie Cool MOS™ P7 Marca un nuevo hito en tecnologías de súper unión 800V y combina el mejor rendimiento de su clase con la facilidad de uso más Art, resultado de la innovación de tecnología de súper unión pionera de Infineon desde hace más de 18 años.

Chapado de cable sin plomo; En conformidad con RoHS

Resistencia térmica superior probada al 100 % de avalancha

Libre de halógenos conforme a IEC61249-2-23

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