MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 800 V, ID 1.5 A, Mejora, TO-251 de 3 pines
- Código RS:
- 222-4716
- Referência do fabricante:
- IPU80R4K5P7AKMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 tubo de 75 unidades)*
44,475 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 29 de setembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 75 - 75 | 0,593 € | 44,48 € |
| 150 - 300 | 0,457 € | 34,28 € |
| 375 - 675 | 0,427 € | 32,03 € |
| 750 - 1800 | 0,397 € | 29,78 € |
| 1875 + | 0,367 € | 27,53 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 222-4716
- Referência do fabricante:
- IPU80R4K5P7AKMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Encapsulado | TO-251 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.5Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 13W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 4nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 2.41mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Encapsulado TO-251 | ||
Serie CoolMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.5Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 13W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 4nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 6.73mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 2.41mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El diseño Infineon de la serie Cool MOS™ P7 Marca un nuevo hito en tecnologías de súper unión 800V y combina el mejor rendimiento de su clase con la facilidad de uso más Art, resultado de la innovación de tecnología de súper unión pionera de Infineon desde hace más de 18 años.
Chapado de cable sin plomo; En conformidad con RoHS
Resistencia térmica superior probada al 100 % de avalancha
Libre de halógenos conforme a IEC61249-2-23
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPU80R4K5P7AKMA1, VDSS 800 V, ID 1.5 A, Mejora, TO-251 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 800 V, ID 6 A, Mejora, TO-251 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPS80R900P7AKMA1, VDSS 800 V, ID 6 A, Mejora, TO-251 de 3 pines
- MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 800 V, ID 7 A, Mejora, TO-251 de 3 pines
- MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon IPU80R750P7AKMA1, VDSS 800 V, ID 7 A, Mejora, TO-251 de 3 pines
- MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon IPS80R750P7AKMA1, VDSS 800 V, ID 7 A, Mejora, TO-251 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 17 A, Mejora, TO-251 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 12.5 A, Mejora, TO-251 de 3 pines