MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay SIHG15N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 13 A, Mejora, TO-247AC de 3 pines
- Código RS:
- 210-4983
- Referência do fabricante:
- SIHG15N80AE-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 tubo de 25 unidades)*
50,40 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 175 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 2,016 € | 50,40 € |
| 50 - 100 | 1,895 € | 47,38 € |
| 125 + | 1,714 € | 42,85 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 210-4983
- Referência do fabricante:
- SIHG15N80AE-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 13A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Encapsulado | TO-247AC | |
| Serie | E | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 304mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 35nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 156W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 15.5mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 4.6mm | |
| Longitud | 28.6mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 13A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Encapsulado TO-247AC | ||
Serie E | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 304mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 35nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 156W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 15.5mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 4.6mm | ||
Longitud 28.6mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia serie E de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 800 V, corriente de drenaje continua de 13 A - SIHG15N80AE-GE3
Este MOSFET de potencia es un transistor de conmutación de alta tensión diseñado para funciones industriales y de conversión de potencia donde se requiere un bloqueo de fuente de drenaje robusto. Funciona como dispositivo de mejora de canal N en un encapsulado TO-247AC de orificio pasante, lo que ofrece idoneidad para etapas de potencia discretas y diseños de retroadaptación que requieren un componente de potencia extraíble.
Características y ventajas:
• Valor nominal de fuente de drenaje de 800 V para capacidad de conmutación de alta tensión • Corriente de drenaje continua de 13 A para un funcionamiento de carga constante • La Rds(on) de 304 mΩ reduce las pérdidas de conducción en las vías de alimentación • La carga de puerta típica de 35 nC permite requisitos de accionamiento predecibles • La disipación de potencia de 156 W admite un rendimiento de potencia elevado • La tensión de fuente de puerta máxima de 30 V permite tensiones de accionamiento de puerta estándar
Aplicaciones
• Apto para frontales de accionamiento de motores industriales en sistemas de automatización • Ideal para fuentes de alimentación de alta tensión y convertidores dc-dc • Se utiliza para etapas de conmutación suave en investigación de electrónica de potencia • Se puede utilizar para tareas de prototipos y reparación que requieren montaje en orificio pasante
¿Qué intervalo de temperatura puede tolerar durante el funcionamiento?
Funciona en un rango de funcionamiento de -55 °C a 150 °C, lo que permite su uso en entornos con amplia variación térmica.
¿Qué estilo de montaje se requiere para la implementación de PCB?
El dispositivo está diseñado para montaje en orificio pasante en una huella TO-247AC, lo que facilita una fijación mecánica robusta e integración de disipador de calor.
¿Cuántas conexiones eléctricas presenta en la placa?
Tres contactos proporcionan conexiones de drenaje, puerta y fuente compatibles con los diseños de transistores convencionales.
¿Qué consideraciones sobre el accionamiento de puerta deben tener en cuenta los diseñadores?
Los diseñadores deben asegurarse de que las amplitudes de accionamiento de puerta no superen los 30 V y tengan en cuenta la carga de puerta típica de 35 nC al dimensionar las corrientes del controlador.
Links relacionados
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay SIHG15N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 13 A, Mejora, TO-247AC de 3 pines
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay SIHG15N80AEF-GE3, VDSS 800 V, ID 13 A, TO-247AC de 3 pines
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay SIHG17N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 15 A, Mejora, TO-247AC de 3 pines
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay SIHG11N80AEF-GE3, VDSS 800 V, ID 8 A, Mejora, TO-247AC de 3 pines
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay SIHG21N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 17.4 A, Mejora, TO-247AC de 3 pines
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 800 V, ID 8 A, Mejora, TO-247AC de 3 pines
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay SIHB15N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 13 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay SIHG20N50E-GE3, VDSS 500 V, ID 19 A, Mejora, TO-247AC de 3 pines