MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay SIHG15N80AEF-GE3, VDSS 800 V, ID 13 A, TO-247AC de 3 pines
- Código RS:
- 225-9914
- Referência do fabricante:
- SIHG15N80AEF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 225-9914
- Referência do fabricante:
- SIHG15N80AEF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 13A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Encapsulado | TO-247AC | |
| Serie | EF | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 350mΩ | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 53nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 156W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Altura | 10.41mm | |
| Anchura | 2.39mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 13A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Encapsulado TO-247AC | ||
Serie EF | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 350mΩ | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 53nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 156W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 6.73mm | ||
Altura 10.41mm | ||
Anchura 2.39mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia serie EF de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 800 V, corriente de drenaje de 13 A - SIHG15N80AEF-GE3
Este MOSFET de potencia es un transistor de canal N de silicio diseñado para conmutación de alta tensión y conversión de potencia en entornos industriales. Está diseñado para conjuntos de montaje en superficie que requieren un manejo robusto de tensión de drenaje a fuente y temperaturas de funcionamiento elevadas, lo que lo convierte en adecuado para sistemas de control eléctrico y mecánico exigentes.
Características y ventajas:
• La clasificación 800 V permite aplicaciones de conmutación de alta tensión • La corriente continua de 13 A admite un accionamiento de carga considerable • La Rds(on) de 350 mΩ reduce las pérdidas de conducción en las vías de potencia • La carga de puerta típica de 53 nC permite un control de conmutación predecible • La disipación de potencia de 156 W permite una carga térmica sostenida • La tensión de puerta máxima de 30 V protege los circuitos de accionamiento de puerta
Aplicaciones
• Apto para inversores de alta tensión en sistemas de automatización • Ideal para fuentes de alimentación en equipos de control industrial • Se utiliza para la conmutación de accionamiento de motor en montajes eléctricos • Puede utilizarse para redes de amortiguación y abrazadera en electrónica de potencia
¿En qué intervalo de temperatura puede funcionar?
Funciona en un amplio rango de temperaturas de -55 °C a 150 °C, lo que permite su uso en entornos térmicos variados.
¿Cómo está empaquetado para montaje en conjuntos?
Se suministra en una carcasa TO‐247AC configurada para instalación de montaje en superficie con tres contactos de conexión.
¿Qué consideraciones de accionamiento de puerta son relevantes para la conmutación?
La puerta debe accionarse dentro de los límites de ±30 V y tener un tamaño para manejar una carga típica de 53 nC para transiciones de conmutación controladas.
¿Cómo gestiona el dispositivo la potencia bajo carga?
Puede disipar hasta 156 W cuando se enfría correctamente, lo que permite un funcionamiento continuo a la corriente nominal con una gestión térmica adecuada.
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