MOSFET Vishay, N-Canal SISF06DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 101 A, PowerPAK 1212, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 204-7260
- Referência do fabricante:
- SISF06DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Adicione mais 100 para poupar 19,60 €
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 20 unidades)*
26,06 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
- Envio a partir do dia 07 de dezembro de 2027
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* | Poupança |
|---|---|---|---|
| 20 - 80 | 1,303 € | 26,06 € | - |
| 100 - 180 | 1,107 € | 22,14 € | 19,60 € |
| 200 - 480 | 0,912 € | 18,24 € | 78,20 € |
| 500 - 980 | 0,828 € | 16,56 € | 237,50 € |
| 1000 + | 0,808 € | 16,16 € | 495,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 204-7260
- Referência do fabricante:
- SISF06DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 101A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | SiSF06DN | |
| Encapsulado | PowerPAK 1212 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0045Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 30nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 69.4W | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 3.3mm | |
| Altura | 730μm | |
| Anchura | 3.3mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 101A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie SiSF06DN | ||
Encapsulado PowerPAK 1212 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0045Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 30nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 69.4W | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 3.3mm | ||
Altura 730μm | ||
Anchura 3.3mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
Links relacionados
- MOSFET Vishay, N-Canal SISF06DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 101 A, PowerPAK 1212, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- MOSFET de potencia Vishay, N-Canal SISF02DN-T1-GE3, VDSS 25 V, ID 60 A, PowerPAK 1212, Mejora de 8 pines, 2, config.
- MOSFET de potencia Vishay, N-Canal SiSF20DN-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 52 A, PowerPAK 1212, Mejora de 8 pines, 2, config.
- MOSFET Vishay, Tipo P, Tipo P-Canal SI7129DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 35 A, PowerPAK 1212-8, Mejora de 8 pines, 1, config.
- MOSFET Vishay, Tipo P-Canal SIS407ADN-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 18 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines, config. Simple
- MOSFET, N-Canal Vishay SIS468DN-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 30 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, N-Canal Vishay SiS110DN-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 14.2 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, N-Canal Vishay SiS178LDN-T1-GE3, VDSS 70 V, ID 45.3 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines