MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiSS54DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 185.6 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- Código RS:
- 228-2933
- Referência do fabricante:
- SiSS54DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
8,90 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
A ser descontinuado
- Última(s) 5965 unidade(s) diponível/disponíveis para envio a partir de outro centro de distribuição
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,78 € | 8,90 € |
| 50 - 120 | 1,60 € | 8,00 € |
| 125 - 245 | 1,282 € | 6,41 € |
| 250 - 495 | 1,156 € | 5,78 € |
| 500 + | 0,96 € | 4,80 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 228-2933
- Referência do fabricante:
- SiSS54DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 185.6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | PowerPAK 1212 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.06mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 65.7W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 16 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 47.5nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 185.6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado PowerPAK 1212 | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.06mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 65.7W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 16 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 47.5nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de canal N de 30 V (D-S) Vishay.
100 % Rg y UIS probados
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 30 V, ID 185.6 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SISS27DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 23 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI7121DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 9.6 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SISA10DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 30 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIS468DN-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 30 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SISA04DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 40 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SISS23DN-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 27 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiSH892BDN-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 20 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
