MOSFET Vishay SI7129DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 11,5 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines, , config. Simple

A imagem representada pode não ser a do produto

Ver tudo MOSFET
Sem stock actualmente
Não sabemos se este item estará de novo em stock, a RS pretende retirá-lo em breve da sua gama.
Código RS:
165-6294
Referência do fabricante:
SI7129DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

11,5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 V

Tipo de Encapsulado

PowerPAK 1212-8

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

20 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1.5V

Disipación de Potencia Máxima

52,1 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Longitud

3.15mm

Material del transistor

Si

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Carga Típica de Puerta @ Vgs

47,5 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Ancho

3.15mm

Altura

1.07mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-50 °C

COO (País de Origem):
CN

MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor



Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

Links relacionados