MOSFET Vishay, Tipo P-Canal SIS407ADN-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 18 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines, config. Simple

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Código RS:
180-7892
Referência do fabricante:
SIS407ADN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

18A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

PowerPAK 1212-8

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.009Ω

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

63nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

39.1W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±8 V

Configuración de transistor

Simple

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

0.79mm

Longitud

3.61mm

Anchura

3.61 mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN

MOSFET Vishay


El MOSFET Vishay es un encapsulado POWERPAK-1212-8 de canal P y es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 20V V y una tensión de fuente de compuerta máxima de 8V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 9mohm a una tensión de fuente de puerta de 4,5V V. Tiene una disipación de potencia máxima de 39,1W mW. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

Características y ventajas


• Libre de halógenos

• Componente sin plomo (Pb)

• encapsulado POWERPAK de baja resistencia térmica

• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.

• MOSFET de potencia TrenchFET

Aplicaciones


• Interruptores adaptadores

• Gestión de la batería

• Interruptores de carga

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