MOSFET Vishay SIS407ADN-T1-GE3

El MOSFET POWERPAK-1212-8 de canal P de montaje en superficie Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 20V V y una tensión de fuente de compuerta máxima de 8V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 9mohms a una tensión de fuente de puerta de 4,5V V. Ofrece una disipación de potencia máxima de 39,1W mW y una corriente de drenaje continua de 18A A. Tiene una tensión de accionamiento mínima y máxima de 1,8V V y 4,5V V respectivamente. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

• encapsulado POWERPAK de baja resistencia térmica
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.
• MOSFET de potencia TrenchFET

• Interruptores adaptadores
• Interruptores de batería
• Interruptores de carga
• Gestión de alimentación

• ANSI/ESD S20,20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg probado
• UIS probado