MOSFET, N-Canal onsemi NVMFSC1D6N06CL, VDSS 60 V, ID 224 A, Mejora, PQFN de 8 pines
- Código RS:
- 195-2675
- Referência do fabricante:
- NVMFSC1D6N06CL
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 195-2675
- Referência do fabricante:
- NVMFSC1D6N06CL
- Fabricante:
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Especificações
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Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 224A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | PQFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 91nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 166W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 5mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 0.95mm | |
| Longitud | 5.9mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 224A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado PQFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 91nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 166W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 5mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 0.95mm | ||
Longitud 5.9mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de potencia de automoción en un encapsulado de cable plano de 5 x 6 mm diseñado para modelos compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. Opción de flanco sumergible disponible para inspección óptica mejorada. MOSFET y capacidad PPAP ideal para aplicaciones de automoción.
Tamaño pequeño (5x6 mm)
Diseño compacto
Baja RDS(on)
Minimiza las pérdidas de conducción
Baja QG y capacitancia
Minimiza las pérdidas de controlador
Capacidad PPAP
Aplicación
Interruptores de alimentación (driver de lado alto, driver de lado bajo, medios puentes, etc.).
Protección de batería inversa
Fuentes de alimentación de conmutación
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