MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 24 A, Mejora, PQFN de 4 pines
- Código RS:
- 185-7980
- Referência do fabricante:
- FCMT125N65S3
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 185-7980
- Referência do fabricante:
- FCMT125N65S3
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 24A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | FCMT | |
| Encapsulado | PQFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 125mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 49nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 181W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 8mm | |
| Altura | 1.05mm | |
| Anchura | 8 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 24A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie FCMT | ||
Encapsulado PQFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 125mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 49nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 181W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 8mm | ||
Altura 1.05mm | ||
Anchura 8 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Estado RoHS: Não conforme
- COO (País de Origem):
- PH
700 V @ TJ = 150 oC
Leadless Ultra-thin SMD package
Kelvin contact
Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 49 nC)
Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 406 pF)
Optimized Capacitance
Typ. RDS(on) = 100 mΩ
Internal Gate Resistance: 0.5 Ω
Higher system reliability at low temperature operation
High power density
Low gate noise and switching loss
Low switching loss
Lower peak Vds and lower Vgs oscillation
Applications
Telecommunication
Cloud system
Industrial
End Products
Telecom power
Server power
LED Lighting
Adapter
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