MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 103 A, Mejora, PQFN de 8 pines
- Código RS:
- 202-5726
- Referência do fabricante:
- NTTFS3D7N06HLTWG
- Fabricante:
- onsemi
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- 202-5726
- Referência do fabricante:
- NTTFS3D7N06HLTWG
- Fabricante:
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 103A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | PQFN | |
| Serie | NTTF | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.9mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 32.7nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 83W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 3.4mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 0.8 mm | |
| Longitud | 3.4mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 103A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado PQFN | ||
Serie NTTF | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.9mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 32.7nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 83W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 3.4mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 0.8 mm | ||
Longitud 3.4mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de canal N único DE on Semiconductor funciona con 40 voltios y 150 amperios. Se puede utilizar en convertidores reductores dc-dc, punto de carga, interruptor de carga de alta eficiencia y conmutación de lado bajo, FET de ORing.
Sin plomo
Libre de halógenos
En conformidad con RoHS
Rango de temperaturas de funcionamiento de –55 a +150 °C y de almacenamiento
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