MOSFET, N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 224 A, Mejora, PQFN de 8 pines
- Código RS:
- 195-2674
- Referência do fabricante:
- NVMFSC1D6N06CL
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 195-2674
- Referência do fabricante:
- NVMFSC1D6N06CL
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 224A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | PQFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 91nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 166W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 5mm | |
| Altura | 0.95mm | |
| Longitud | 5.9mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 224A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado PQFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 91nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 166W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 5mm | ||
Altura 0.95mm | ||
Longitud 5.9mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de potencia de automoción en un encapsulado de cable plano de 5 x 6 mm diseñado para modelos compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. Opción de flanco sumergible disponible para inspección óptica mejorada. MOSFET y capacidad PPAP ideal para aplicaciones de automoción.
Tamaño pequeño (5x6 mm)
Diseño compacto
Baja RDS(on)
Minimiza las pérdidas de conducción
Baja QG y capacitancia
Minimiza las pérdidas de controlador
Capacidad PPAP
Aplicación
Interruptores de alimentación (driver de lado alto, driver de lado bajo, medios puentes, etc.).
Protección de batería inversa
Fuentes de alimentación de conmutación
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