MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 100 V, ID 124 A, Mejora, PQFN de 8 pines

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Código RS:
181-1857
Referência do fabricante:
FDMS86181
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

124A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

PQFN

Serie

FDMS86181

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

12mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

42nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

125W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

5 mm

Altura

1.05mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

5.85mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
PH
This N-Channel MV MOSFET is produced using an advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimise on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

Shielded Gate MOSFET Technology

Max rDS(on) = 4.2 mΩ at VGS = 10 V, ID = 44 A

Max rDS(on) = 12 mΩ at VGS = 6 V, ID = 22 A

ADD

50% lower Qrr than other MOSFET suppliers

Lowers switching noise/EMI

This product is general usage and suitable for many different applications.

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