MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STS7NF60L, VDSS 60 V, ID 7.5 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 188-8543
- Referência do fabricante:
- STS7NF60L
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 188-8543
- Referência do fabricante:
- STS7NF60L
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 7.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 21mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 16 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.5W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 25nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 4 mm | |
| Altura | 1.65mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 5mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 7.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 21mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 16 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.5W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 25nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 4 mm | ||
Altura 1.65mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 5mm | ||
Estándar de automoción No | ||
This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronis unique "Single Feature Size™" strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
TYPICAL RDS(on) = 0.017 Ω
LOW THRESHOLD DRIVE
STANDARD OUTLINE FOR EASY AUTOMATED SURFACE MOUNT ASSEMBLY
APPLICATIONS
DC MOTOR DRIVE
DC-DC CONVERTERS
BATTERY MANAGEMENT INOMADIC EQUIPMENT
POWER MANAGEMENT IPORTABLE/DESKTOP Pcs
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