MOSFET, Doble N-Canal STMicroelectronics STS1DNC45, VDSS 450 V, ID 0.4 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 151-446
- Referência do fabricante:
- STS1DNC45
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 151-446
- Referência do fabricante:
- STS1DNC45
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Doble N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 0.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 450V | |
| Serie | SuperMESH | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.5Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -65°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2W | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 10nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Doble N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 0.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 450V | ||
Serie SuperMESH | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.5Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -65°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2W | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 10nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de potencia de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la tecnología Super MESH, que se consigue mediante la optimización de una disposición de Power MESH bien establecida. Además de una reducción significativa de la resistencia, este dispositivo está diseñado para garantizar un alto nivel de capacidad dv/dt para las aplicaciones más exigentes.
Contorno estándar para un montaje en superficie automatizado sencillo
Carga de puerta minimizada
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