MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics STS10N3LH5, VDSS 30 V, ID 10 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

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Código RS:
719-621
Referência do fabricante:
STS10N3LH5
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

10A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

STS

Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.021Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±22 V

Disipación de potencia máxima Pd

2.5W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

4.6nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

5mm

Anchura

4 mm

Altura

1.75mm

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