MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 8 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 273-2806
- Referência do fabricante:
- IRF7351TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
10,30 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 25 de janeiro de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,06 € | 10,30 € |
| 50 - 95 | 1,88 € | 9,40 € |
| 100 - 495 | 1,726 € | 8,63 € |
| 500 - 1995 | 1,474 € | 7,37 € |
| 2000 + | 1,442 € | 7,21 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 273-2806
- Referência do fabricante:
- IRF7351TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 17.8mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2W | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 36nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 17.8mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2W | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 36nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
- COO (País de Origem):
- PH
El MOSFET de Infineon es de potencia, HEXFET, de canal N y 60 V. Este MOSFET se utiliza para sistemas de accionamiento de motor de baja potencia y para convertidores de CC a CC aislados.
Impedancia de puerta ultrabaja
Puerta nominal máxima de 20 V VGS
Tensión y corriente de avalancha completamente caracterizadas
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF7351TRPBF, VDSS 60 V, ID 8 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 1.9 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 6.9 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 13 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 3.6 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 14 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 9 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF7473TRPBF, VDSS 100 V, ID 6.9 A, Mejora, SO-8 de 8 pines