MOSFET, N-Canal Infineon IRF7351TRPBF, VDSS 60 V, ID 8 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

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Código RS:
273-2805
Referência do fabricante:
IRF7351TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SO-8

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

17.8mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Tensión directa Vf

1.3V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

36nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

COO (País de Origem):
PH

MOSFET de la serie HEXFET de Infineon, tensión de drenaje-fuente máxima de 60 V, corriente de drenaje continua máxima de 8 A - IRF7351TRPBF


Este MOSFET es un dispositivo de mejora de canal N diseñado para la conmutación y el control de potencia de montaje en superficie en conjuntos compactos. Funciona en un rango de temperatura ampliado adecuado para entornos hostiles y se suministra en un encapsulado SO-8 para procesos de montaje automatizados.

Características y ventajas:


• La Rds(on) de 17,8 mΩ reduce las pérdidas por conducción para la conmutación de alta corriente
• Los 60 V Vds permiten el funcionamiento en etapas de potencia de tensión moderada
• El ID 8A admite un suministro de corriente continua considerable
• El 36nC Qg mejora el control de conmutación para el diseño de circuito de accionamiento
• La Pd de 2 W limita la tensión térmica en diseños de PCB restringidos

Aplicaciones


• Apto para etapas de potencia SMD de alta corriente
• Ideal para aplicaciones extremas de electrónica de automoción
• Se utiliza con módulos de motor-controlador compactos
• Se puede utilizar para etapas de salida de convertidor dc-dc
• Apto para implementaciones de interruptor de carga de montaje en superficie

¿Qué limitaciones de tensión de puerta deben observarse?


La puerta no debe superar los 20 V con respecto a la fuente para evitar daños.

¿Cómo afecta el rango térmico a las opciones de despliegue?


El dispositivo funciona desde -55 °C hasta 150 °C, lo que permite su uso en entornos de temperatura extendida.

¿Qué método de montaje es necesario para este componente?


Está diseñado para montaje en superficie en un tamaño SO-8 para soldadura automatizada.

¿Qué modo de conducción de canal se implementa?


El transistor funciona en modo de mejora con conducción de canal de tipo N.

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