MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF7351TRPBF, VDSS 60 V, ID 8 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 bobina de 4000 unidades)*

2 436,00 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 16 de junho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Bobina*
4000 +0,609 €2 436,00 €

*preço indicativo

Código RS:
273-2805
Referência do fabricante:
IRF7351TRPBF
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

HEXFET

Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

17.8mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.3V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

36nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

COO (País de Origem):
PH
El MOSFET de Infineon es de potencia, HEXFET, de canal N y 60 V. Este MOSFET se utiliza para sistemas de accionamiento de motor de baja potencia y para convertidores de CC a CC aislados.

Impedancia de puerta ultrabaja

Puerta nominal máxima de 20 V VGS

Tensión y corriente de avalancha completamente caracterizadas

Links relacionados