MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FDMS86181, VDSS 100 V, ID 124 A, Mejora, PQFN de 8 pines
- Código RS:
- 181-1895
- Referência do fabricante:
- FDMS86181
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
4,29 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Últimas unidades em stock
- Última(s) 2990 unidade(s) diponível/disponíveis para envio a partir de outro centro de distribuição
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 + | 0,858 € | 4,29 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 181-1895
- Referência do fabricante:
- FDMS86181
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 124A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | PQFN | |
| Serie | FDMS86181 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 12mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 42nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 125W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 5 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.05mm | |
| Longitud | 5.85mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 124A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado PQFN | ||
Serie FDMS86181 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 12mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 42nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 125W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 5 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.05mm | ||
Longitud 5.85mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- PH
This N-Channel MV MOSFET is produced using an advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimise on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.
Shielded Gate MOSFET Technology
Max rDS(on) = 4.2 mΩ at VGS = 10 V, ID = 44 A
Max rDS(on) = 12 mΩ at VGS = 6 V, ID = 22 A
ADD
50% lower Qrr than other MOSFET suppliers
Lowers switching noise/EMI
This product is general usage and suitable for many different applications.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 100 V, ID 124 A, Mejora, PQFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 25 V, ID 150 A, Mejora, PQFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 80 V, ID 84 A, Mejora, PQFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 120 V, ID 67 A, Mejora, PQFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 80 V, ID 22 A, Mejora, PQFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 24 A, Mejora, PQFN de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 235 A, Mejora, PQFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 376 A, Mejora, PQFN de 8 pines