MOSFET, N-Canal onsemi FDMS4D0N12C, VDSS 120 V, ID 67 A, Mejora, PQFN de 8 pines
- Código RS:
- 178-4409
- Referência do fabricante:
- FDMS4D0N12C
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 178-4409
- Referência do fabricante:
- FDMS4D0N12C
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 67A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 120V | |
| Encapsulado | PQFN | |
| Serie | FDMS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 36nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 106W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 5mm | |
| Altura | 1.05mm | |
| Anchura | 6mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 67A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 120V | ||
Encapsulado PQFN | ||
Serie FDMS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 36nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 106W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 5mm | ||
Altura 1.05mm | ||
Anchura 6mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- PH
Este MOSFET MV de canal N se fabrica mediante un proceso PowerTrench® avanzado que incorpora la tecnología de puerta apantallada. Este proceso se ha optimizado para minimizar la resistencia de conexión a la vez que se conserva un rendimiento de conmutación superior con el mejor diodo de cuerpo suave de su categoría.
Tecnología MOSFET de puerta apantallada
RDS(on) máx. = 4,0 mΩ con VGS = 10 V, ID = 67 A
RDS(on) máx. = 8,0 mΩ con VGS = 6 V, ID = 33 A
Qrr un 50 % inferior que otros proveedores de MOSFET
Reduce el ruido de conmutación/EMI
Diseño con encapsulado robusto MSL1
Aplicaciones:
Este producto es de uso general y es adecuados para diversas aplicaciones.
Productos finales:
Fuentes de alimentación ac-dc y dc-dc
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