MOSFET Toshiba, Tipo N-Canal SSM3K335R, VDSS 30 V, ID 6 A, SOT-23, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple

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Opções de embalagem:
Código RS:
171-2542
Referência do fabricante:
SSM3K335R
Fabricante:
Toshiba
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Marca

Toshiba

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Configuración de transistor

Simple

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

0.7mm

Longitud

2.9mm

Anchura

1.8mm

Número de elementos por chip

1

COO (País de Origem):
TH
Tensión de accionamiento de puerta de 4,5 V.

Resistencia de conexión de drenador-fuente baja

RDS(ON) = 38 mΩ (máx) (a VGS = 10 V)

RDS(ON) = 56 mΩ (máx) (a VGS = 4,5 V)

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