MOSFET Toshiba, N-Canal TK40E06N1, VDSS 60 V, ID 60 A, TO-220, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 168-7778
- Referência do fabricante:
- TK40E06N1
- Fabricante:
- Toshiba
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- Código RS:
- 168-7778
- Referência do fabricante:
- TK40E06N1
- Fabricante:
- Toshiba
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Toshiba | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 60 V | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 60 A | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Número de pines | 3 | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Estándar de automoción | No | |
| Tensión directa (Vf) | -1.2 V | |
| Altura | 15.1 mm | |
| Longitud | 10.16 mm | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) | 10.4 mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20 V, +20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150 °C | |
| Disipación de potencia máxima (Pd) | 67 W | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Serie | TK | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs | 23 nC | |
| Anchura | 4.45 mm | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Toshiba | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 60 V | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 60 A | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Número de pines 3 | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Estándar de automoción No | ||
Tensión directa (Vf) -1.2 V | ||
Altura 15.1 mm | ||
Longitud 10.16 mm | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 10.4 mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20 V, +20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150 °C | ||
Disipación de potencia máxima (Pd) 67 W | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Serie TK | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs 23 nC | ||
Anchura 4.45 mm | ||
- COO (País de Origem):
- JP
MOSFET Transistors, Toshiba
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