MOSFET Toshiba, N-Canal SSM3K333R, VDSS 30 V, ID 6 A, SOT-23, Mejora de 3 pines, config. Simple
- Código RS:
- 171-2399
- Referência do fabricante:
- SSM3K333R
- Fabricante:
- Toshiba
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- Código RS:
- 171-2399
- Referência do fabricante:
- SSM3K333R
- Fabricante:
- Toshiba
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Toshiba | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 30 V | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 6 A | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Número de pines | 3 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Altura | 800 μm | |
| Longitud | 2.9 mm | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) | 42 mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150 °C | |
| Disipación de potencia máxima (Pd) | 2 W | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Anchura | 1.8 mm | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Toshiba | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 30 V | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 6 A | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Número de pines 3 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Altura 800 μm | ||
Longitud 2.9 mm | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 42 mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150 °C | ||
Disipación de potencia máxima (Pd) 2 W | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Anchura 1.8 mm | ||
- COO (País de Origem):
- TH
4.5V drive
Low ON-resistance: RDS(ON) = 42 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V)
RDS(ON) = 28 mΩ (max) (@VGS = 10 V)
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