MOSFET Toshiba, N-Canal SSM3K361R, VDSS 100 V, ID 3.5 A, SOT-23, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 171-2477
- Referência do fabricante:
- SSM3K361R
- Fabricante:
- Toshiba
A imagem representada pode não ser a do produto
Obtenha um desconto por quantidade
Adicione mais 100 para poupar 12,20 €
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 25 unidades)*
9,88 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 50 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
- Mais 1050 unidade(s) para enviar a partir do dia 17 de novembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* | Poupança |
|---|---|---|---|
| 25 - 75 | 0,395 € | 9,88 € | - |
| 100 - 475 | 0,273 € | 6,83 € | 12,20 € |
| 500 - 975 | 0,255 € | 6,38 € | 70,00 € |
| 1000 + | 0,243 € | 6,08 € | 152,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 171-2477
- Referência do fabricante:
- SSM3K361R
- Fabricante:
- Toshiba
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Toshiba | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 3.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 92mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.4W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Longitud | 2.9mm | |
| Anchura | 1.8mm | |
| Altura | 700μm | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Toshiba | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 3.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 92mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.4W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Longitud 2.9mm | ||
Anchura 1.8mm | ||
Altura 700μm | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- TH
Interruptores de gestión de potencia
Convertidores dc-dc
MOSFET 175
Accionamiento de 4,5 V
Baja resistencia de drenaje-fuente de conexión
RDS(ON) = 65 mΩ (típ.) (a VGS = 4,5 V)
RDS(ON) = 51 mΩ (típ.) (@VGS = 10 V)
Links relacionados
- MOSFET Toshiba, N-Canal SSM3K361R,LF(B, VDSS 100 V, ID 3.5 A, SOT-23, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
- MOSFET Toshiba, N-Canal SSM3K333R, VDSS 30 V, ID 6 A, SOT-23, Mejora de 3 pines, config. Simple
- MOSFET Toshiba, N-Canal SSM3K335R, VDSS 30 V, ID 6 A, SOT-23, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
- MOSFET DiodesZetex, N-Canal ZXMN2A01E6TA, VDSS 20 V, ID 3.1 A, SOT-23, Mejora de 6 pines, 1, config. Simple
- MOSFET Vishay, N-Canal SI2328DS-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 1.15 A, SOT-23, Mejora de 3 pines, config. Simple
- MOSFET Taiwan Semiconductor, N-Canal TSM2302CX RFG, VDSS 20 V, ID 2.8 A, SOT-23, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
- MOSFET Toshiba, N-Canal TK40E06N1, VDSS 60 V, ID 60 A, TO-220, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
- MOSFET Toshiba, N-Canal SSM3K37MFV, VDSS 20 V, ID 250 mA, ESM, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple