MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba, VDSS 40 V, ID 2 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
171-2402
Referência do fabricante:
SSM3K339R
Fabricante:
Toshiba
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Marca

Toshiba

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

390mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

12 V

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

1.1nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

0.7mm

Longitud

2.9mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

1.8 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
TH
Interruptores de administración de potencia

Convertidores dc-dc

Tensión de accionamiento de puerta de 1,8 V.

Resistencia de conexión de drenador-fuente baja

RDS(ON) = 145 mΩ (típ.) (a VGS = 8,0 V, ID = 1,0 A)

RDS(ON) = 155 mΩ (típ.) (a VGS = 4,5 V, ID = 1,0 A)

RDS(ON) = 160 mΩ (típ.) (a VGS = 3,6 V, ID = 1,0 A)

RDS(ON) = 180 mΩ (típ.) (a VGS = 2,5 V, ID = 0,5 A)

RDS(ON) = 220 mΩ (típ.) (a VGS = 1,8 V, ID = 0,2 A)

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