MOSFET Toshiba, N-Canal SSM3K37MFV,L3F(B, VDSS 20 V, ID 250 mA, ESM, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 171-2404
- Referência do fabricante:
- SSM3K37MFV,L3F(B
- Fabricante:
- Toshiba
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- Código RS:
- 171-2404
- Referência do fabricante:
- SSM3K37MFV,L3F(B
- Fabricante:
- Toshiba
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Toshiba | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 250mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | ESM | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 5.6Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 10V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 150mW | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 1.2mm | |
| Altura | 500μm | |
| Longitud | 800μm | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Toshiba | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 250mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado ESM | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5.6Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 10V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 150mW | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 1.2mm | ||
Altura 500μm | ||
Longitud 800μm | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
- COO (País de Origem):
- TH
Accionamiento de 1,5 V
Baja resistencia de encendido: Ron = 66 mΩ (máx.) (@VGS = 1,5 V)
Ron = 43 mΩ (máx.) (a VGS = 1,8 V)
Ron = 32 mΩ (máx.) (a VGS = 2,5 V)
Ron = 28 mΩ (máx.) (a VGS = 4,0 V)
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