MOSFET Vishay, Tipo P, Tipo P-Canal SI1025X-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 135 mA, SC-89-6, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado
- Código RS:
- 165-6899
- Referência do fabricante:
- SI1025X-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Sem stock actualmente
Não sabemos se este item estará de novo em stock, a RS pretende retirá-lo em breve da sua gama.
- Código RS:
- 165-6899
- Referência do fabricante:
- SI1025X-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P, Tipo P | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 60 V | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 135 mA | |
| Encapsulado | SC-89-6 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Número de pines | 6 | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Estándar de automoción | No | |
| Tensión directa (Vf) | -1.4 V | |
| Altura | 600 μm | |
| Longitud | 1.7 mm | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) | 8 Ω | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20 V, +20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150 °C | |
| Disipación de potencia máxima (Pd) | 250 mW | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Serie | TrenchFET | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs | 1.7 nC | |
| Anchura | 1.2 mm | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P, Tipo P | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 60 V | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 135 mA | ||
Encapsulado SC-89-6 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Número de pines 6 | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Estándar de automoción No | ||
Tensión directa (Vf) -1.4 V | ||
Altura 600 μm | ||
Longitud 1.7 mm | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 8 Ω | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20 V, +20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150 °C | ||
Disipación de potencia máxima (Pd) 250 mW | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Serie TrenchFET | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs 1.7 nC | ||
Anchura 1.2 mm | ||
- COO (País de Origem):
- PH
Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Links relacionados
- MOSFET Vishay, Tipo P, Tipo N-Canal SI1029X-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 300 mA, SC-89-6, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET Vishay, Tipo P, Tipo N-Canal SI1553CDL-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 700 mA, SC-70-6, Mejora de 6 pines, 2, config.
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI1077X-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 760 mA, Mejora, SC-89 de 6 pines
- MOSFET Vishay, Tipo P-Canal SIA931DJ-T1-GE3, VDSS -30 V, ID -4.5 A, PowerPack, Mejora de 6 pines, config. Doble
- MOSFET Vishay, Tipo P, Tipo N-Canal SI4532CDY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 6 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET Vishay, Tipo N, Tipo P-Canal SI3585CDV-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 3.9 A, TSOP, Mejora de 6 pines, 2, config. Doble
- MOSFET onsemi, Tipo P-Canal, VDSS 20 V, ID 830 mA, SC-89, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET de potencia Vishay, Tipo P-Canal SI3993CDV-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 2.3 A, TSOP, Mejora de 6 pines, 2, config.