MOSFET Vishay SI1025X-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 135 mA, SC-89-6 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

A imagem representada pode não ser a do produto

Ver tudo MOSFET
Sem stock actualmente
Não sabemos se este item estará de novo em stock, a RS pretende retirá-lo em breve da sua gama.
Código RS:
165-6899
Referência do fabricante:
SI1025X-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

135 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Tipo de Encapsulado

SC-89-6

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

8 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

250 mW

Configuración de transistor

Aislado

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Carga Típica de Puerta @ Vgs

1,7 nC a 15 V

Material del transistor

Si

Longitud

1.7mm

Ancho

1.2mm

Número de Elementos por Chip

2

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

0.6mm

COO (País de Origem):
PH

MOSFET de canal P doble, Vishay Semiconductor



Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

Links relacionados