MOSFET Vishay, Tipo P-Canal SIA931DJ-T1-GE3, VDSS -30 V, ID -4.5 A, PowerPack, Mejora de 6 pines, config. Doble
- Código RS:
- 180-7884
- Referência do fabricante:
- SIA931DJ-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 180-7884
- Referência do fabricante:
- SIA931DJ-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -4.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -30V | |
| Serie | SIA931DJ | |
| Encapsulado | PowerPack | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.1Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 5W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 4.1nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 2.15mm | |
| Altura | 0.8mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -4.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -30V | ||
Serie SIA931DJ | ||
Encapsulado PowerPack | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.1Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 5W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 4.1nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 2.15mm | ||
Altura 0.8mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El Vishay SIA931DJ es un MOSFET de canal P doble que tiene una tensión de drenador a fuente (VDS) de 30V V. La tensión de puerta a fuente (VGS) es de 20V V. Dispone de encapsulado Power PAK SC-70. Ofrece resistencia de drenaje a fuente (RDS) 0,065ohms a 10VGS y 0,08ohms a 6VGS. Corriente de drenaje máxima: 4,5A A.
MOSFET de potencia Trench FET Gen III
Encapsulado Power PAK SC-70 térmicamente mejorado, tamaño pequeño, baja resistencia de conexión
100 % Rg probado
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