MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI1077X-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 760 mA, Mejora, SC-89 de 6 pines

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Opções de embalagem:
Código RS:
812-3050
Referência do fabricante:
SI1077X-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

760mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

Si1077X

Encapsulado

SC-89

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

244mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

-1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

4.43nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

12 V

Disipación de potencia máxima Pd

236mW

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

0.6mm

Anchura

1.2 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

1.7mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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