MOSFET Vishay, Tipo P, Tipo N-Canal SI1029X-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 300 mA, SC-89-6, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado
- Código RS:
- 787-9055
- Referência do fabricante:
- SI1029X-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 embalagem de 20 unidades)*
8,92 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
- Última(s) 1560 unidade(s) diponível/disponíveis para envio a partir de outro centro de distribuição
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 0,446 € | 8,92 € |
| 200 - 480 | 0,42 € | 8,40 € |
| 500 - 980 | 0,38 € | 7,60 € |
| 1000 - 1980 | 0,358 € | 7,16 € |
| 2000 + | 0,335 € | 6,70 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 787-9055
- Referência do fabricante:
- SI1029X-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P, Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 300mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | SC-89-6 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 8Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 750nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 250mW | |
| Tensión directa Vf | 1.4V | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 0.6mm | |
| Anchura | 1.7 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 1.7mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P, Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 300mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado SC-89-6 | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 8Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 750nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 250mW | ||
Tensión directa Vf 1.4V | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 0.6mm | ||
Anchura 1.7 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 1.7mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canales N/P dobles, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
Links relacionados
- MOSFET Vishay, Tipo N-Canal SI1034CX-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 0.5 A, SC-89, Mejora de 6 pines, 2, config. Doble
- MOSFET Vishay SI1025X-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 135 mA, SC-89-6 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado
- MOSFET Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 20 V, ID 0.5 A, SC-89, Mejora de 6 pines, 2, config. Doble
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI1077X-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 760 mA, Mejora, SC-89 de 6 pines
- MOSFET de potencia Vishay, Tipo P-Canal SI1967DH-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 1.1 A, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config.
- MOSFET de potencia Vishay, Tipo N-Canal SI1922EDH-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 1.3 A, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config.
- MOSFET Vishay, Tipo P, Tipo N-Canal SI1553CDL-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 700 mA, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET Vishay, Tipo P-Canal SIA437DJ-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 29.7 A, PowerPAK SC-70-6L de 6 pines, 1, config. Simple