MOSFET, N-Canal Infineon BSS131H6327XTSA1, VDSS 240 V, ID 110 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 165-5867
- Referência do fabricante:
- BSS131H6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,086 € | 258,00 € |
| 6000 - 12000 | 0,082 € | 246,00 € |
| 15000 + | 0,077 € | 231,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 165-5867
- Referência do fabricante:
- BSS131H6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 110mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 240V | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Serie | SIPMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 20Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 2.1nC | |
| Tensión directa Vf | 0.81V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20, +20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 360mW | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1mm | |
| Anchura | 1.3mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 2.9mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 110mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 240V | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Serie SIPMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 20Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 2.1nC | ||
Tensión directa Vf 0.81V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20, +20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 360mW | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1mm | ||
Anchura 1.3mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 2.9mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET de la serie SIPMOS de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 240 V, corriente de drenaje continua máxima de 110 mA - BSS131H6327XTSA1
Características y ventajas:
• La capacidad de drenaje continuo de 110 mA admite cargas de baja corriente
• El límite de fuente de puerta de 20 V protege contra tensión de puerta excesiva
• La RDS(on) máxima de 20 Ω simplifica la gestión térmica con corrientes bajas
• La carga de puerta típica de 2,1 nC reduce los requisitos de energía de accionamiento
• La disipación de potencia de 360 mW se adapta a presupuestos térmicos de pequeño factor de forma
Aplicaciones
• Ideal para circuitos de control de gestión de baterías
• Se utiliza para etapas de puerta de motor-controlador de baja corriente
• Se puede utilizar para funciones de cambio de nivel y protección
• Se utiliza con instrumentación portátil y portátil
¿Qué encapsulado y método de montaje utiliza para el montaje de PCB?
¿Qué condiciones ambientales extremas puede soportar durante el funcionamiento?
¿Qué tan compacto es el dispositivo para diseños con espacio limitado?
¿Cumple algún estándar de certificación de automoción para uso en vehículos?
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