MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 1 kV, ID 24 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines

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Código RS:
146-1694
Referência do fabricante:
IXFN24N100
Fabricante:
IXYS
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Marca

IXYS

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

24A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1kV

Encapsulado

SOT-227

Serie

HiperFET

Tipo de montaje

Panel

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

390mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.5V

Disipación de potencia máxima Pd

568W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

267nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

38.23mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

25.42 mm

Altura

9.6mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS HiperFET™


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