MOSFET, Tipo N-Canal IXYS IXFN24N100, VDSS 1 kV, ID 24 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidade

Subtotal (1 unidade)*

50,82 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • Mais 23 unidade(s) para enviar a partir do dia 07 de setembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".

Unidad(es)
Por unidade
1 - 450,82 €
5 - 1944,68 €
20 - 4941,72 €
50 - 9940,66 €
100 +39,64 €

*preço indicativo

Código RS:
194-091
Referência do fabricante:
IXFN24N100
Fabricante:
IXYS
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

IXYS

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

24A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1kV

Encapsulado

SOT-227

Serie

HiperFET

Tipo de montaje

Panel

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

390mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.5V

Disipación de potencia máxima Pd

568W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

267nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

9.6mm

Anchura

25.42mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

38.23mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS HiperFET™


Transistores MOSFET, IXYS


Amplia gama de MOSFET avanzados de potencia discretos de IXYS

Links relacionados

Mantenha-se a par das últimas novidades e ofertas

Introduza o seu endereço de email

A informação pessoal que nos proporcionar ao subscrever esta newsletter será processada de acordo com a nossa política de privacidade.