MOSFET, Tipo N-Canal IXYS IXFN32N100Q3, VDSS 1 kV, ID 28 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines
- Código RS:
- 168-4754
- Referência do fabricante:
- IXFN32N100Q3
- Fabricante:
- IXYS
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- Código RS:
- 168-4754
- Referência do fabricante:
- IXFN32N100Q3
- Fabricante:
- IXYS
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | IXYS | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 28A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1kV | |
| Encapsulado | SOT-227 | |
| Serie | HiperFET, Q3-Class | |
| Tipo de montaje | Panel | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 320mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.4V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 780W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 195nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 25.07 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 38.23mm | |
| Altura | 9.6mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca IXYS | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 28A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1kV | ||
Encapsulado SOT-227 | ||
Serie HiperFET, Q3-Class | ||
Tipo de montaje Panel | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 320mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.4V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 780W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 195nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 25.07 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 38.23mm | ||
Altura 9.6mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- US
MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS HiperFET™ Q3
Los MOSFET de potencia HiperFET™ de clase Q3 de IXYS son ideales para aplicaciones de modo resonante y conmutación dura, y ofrecen baja descarga de compuerta con resistencia excepcional. Los dispositivos incorporan un diodo rápido intrínseco y están disponibles en una gran variedad de encapsulados de estándar industrial, incluidos los tipos aislados, con valores nominales de hasta 1.100 V y 70 A. Las aplicaciones típicas incluyen convertidores dc-dc, cargadores de batería, fuentes de alimentación de modo conmutado y modo resonante, choppers dc y control de iluminación y temperatura.
Diodo rectificador rápido intrínseco
Bajo nivel de RDS(on) y QG (carga de compuerta)
Baja resistencia de compuerta intrínseca
Encapsulados estándar del sector
Baja inductancia de encapsulado
Alta densidad de potencia
Transistores MOSFET, IXYS
Amplia gama de MOSFET avanzados de potencia discretos de IXYS
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